**그록, 차세대 칩에 'D램 3차원 적층' 도입 추진…S램 한계 넘는다**
**속도 빠르지만 용량 작은 S램 중심 설계서 탈피 시도…업계 "용량 강점"**

20일 반도체 업계에 따르면 그록은 차세대 칩에 3D 패키징 기술을 적용하는 방안을 검토 중이다. 기존 S램 대신 D램을 쓰는 방식이다. 3D 패키징은 여러 반도체 다이(Die)를 평면이 아닌 수직으로 쌓아 하나의 칩처럼 동작하게 만드는 기술로, 2D 방식보다 면적을 줄이면서 전력효율을 높일 수 있다. 

그록이 채택한 방식은 3DS(3D Stacked Memory)로 알려졌다. 3DS는 실리콘관통전극(TSV)으로 D램 칩을 수직 연결한 고용량 패키지다. TSV를 쓴다는 점에서 고대역폭메모리(HBM)와 비슷하지만, HBM이 데이터 전송속도에 초점을 맞춘 것과 달리 3DS는 기존 D램 인터페이스를 유지하면서 용량 확대에 집중한다.

[https://zdnet.co.kr/view/?no=20261019161431](https://zdnet.co.kr/view/?no=20261019161431)