중국 CXMT가 발표한 D램 신기술이 반도체주를 흔드는 이유?

 핵심적 본문 요약
CXMT가 4FVSG 수직 트랜지스터 구조를 공개하고 연말 서버용 DDR5 출시를 예고했다. 기존 6F 평면 트랜지스터를 수직으로 세워 셀 면적을 줄이는 방식이나 리텐션과 수율 등 핵심 지표는 미공개 상태다. 하이브리드 본딩 적용 여부와 양산 가능성이 확인되지 않아 삼성전자와 SK하이닉스의 기술 우위는 당분간 유지될 전망이다.
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(In)sight
가설은 CXMT의 4FVSG 발표가 밀도 경쟁에서 우회로를 확보하려는 시도라는 것이다. 이를 뒷받침하는 근거는 2023년 IMW와 IEDM 논문 이후 3년 만의 실체화이며 삼성전자와 SK하이닉스의 상용화 일정보다 2년 앞선 수치다. 그러나 출시와 양산은 다른 단계이고 리텐션과 수율 데이터가 없어 기대감에 의한 변동성일 뿐 실적 동력으로 보기 어렵다. 삼성전자의 하이브리드 본딩 결합 시제품과 비교할 때 CXMT의 우회 전략은 규제 회피에 강점이 있으나 플로팅 바디 효과라는 구조적 약점이 남아 있다.

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