[Dr.J's Insight] CXMT의 "4F² DRAM", 삼성보다 2년 빠른가? 2년 굵은가?

 핵심적 본문 요약
CXMT가 4F² DDR5 RDIMM을 연말 출시하겠다고 발표했다. 삼성전자는 2028년 양산을 목표로 한다. 업계는 CXMT가 16나노급에서 4F²를 적용할 가능성이 크다고 본다. 삼성은 10나노 이하에서 4F²를 추진한다. 두 회사의 4F²는 셀 면적과 목적이 다르다. CXMT의 발표는 아직 제품 명세서가 없어 선언에 가깝다.
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(In)sight
CXMT의 4F² DDR5 RDIMM 발표는 기술적 선언에 가깝다. 실제 출하와 수율이 확인되지 않았다. 4F²는 6F² 대비 셀 면적을 30% 줄일 수 있지만 공정 난이도가 높다. 삼성과 하이닉스는 10나노 이하에서 4F²를 추진하며 수율 경쟁력을 확보할 계획이다. CXMT의 발표는 한국 범용 D램의 가격 결정력에 위협이 될 수 있다. 그러나 서버용 제품의 고객 인증과 양산 수율이 관건이다. 투자자는 CXMT의 실제 출하량과 고객사, 수율을 주시해야 한다.

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