**중국 CXMT 반도체 신기술, 왜 삼전닉스 주가 흔들었나**

- 중국 최대 D램 업체 CXMT가 차세대 4F² 기술을 적용한 서버용 DDR5를 연내 선보이겠다고 발표. 기존 대비 메모리 셀 면적을 33% 줄여 동일 면적에서 이론적으로 최대 50% 더 많은 셀을 배치할 수 있는 기술. 중국의 기술 추격과 공급 확대 우려가 삼성전자·SK하이닉스 주가 급락으로 연결.

• **_삼성전자 -7.39%·SK하이닉스 -10.09%_**
  10월 13일 삼성전자는 7.39%, SK하이닉스는 10.09% 급락. 미국 마이크론도 이틀 연속 하락. 중국의 차세대 D램 기술 발표가 메모리 초호황의 지속 가능성에 대한 의구심을 자극.

• **_4F² 기술로 메모리 셀 면적 33% 축소_**
  현재 주류 D램은 6F² 구조를 사용하지만 4F²는 셀의 가로·세로 길이를 각각 최소 선폭의 2배로 줄이는 방식. 기존 수평형 트랜지스터를 수직으로 배치해 집적도를 높이며, 이론적으로 같은 면적에 최대 50% 더 많은 셀을 배치할 수 있는 구조.

• **_삼성·SK하이닉스도 이미 개발 중_**
  4F²는 중국이 처음 개발한 기술이 아님. 삼성전자는 올해 2월 국제반도체회로학술회의에서 16Gb D램 연구 결과를 공개했고 SK하이닉스도 지난해 관련 기술 개발 방향을 발표. 다만 CXMT가 연내 제품 출시 계획을 먼저 제시하면서 시장의 관심 집중.

• **_EUV 규제를 우회하는 중국의 전략_**
  미국의 수출 규제로 중국은 최첨단 극자외선(EUV) 노광장비 도입이 제한된 상황. CXMT는 공정 선폭을 줄이는 대신 트랜지스터 구조를 변경해 집적도를 높이는 우회 전략 선택. 중국 정부의 보조금과 자국 반도체 시장도 기술 개발을 뒷받침.

• **_핵심은 상용화보다 수율과 생산원가_**
  CXMT는 제품 용량·처리속도·수율·생산 규모·고객사 등을 공개하지 않은 상태. 제품 시연이나 출시와 안정적인 대량생산은 별개이며, 실제 생산량 확대에는 수율 확보와 서버 고객사의 품질 검증이 필요. 단기간에 한국 기업을 추월하기는 어렵다는 평가가 우세.

• **_중국 양산 성공 시 메모리 공급 확대 우려_**
  4F² 기술의 높은 수율과 원가 경쟁력이 확보되면 같은 생산시설에서 더 많은 D램을 생산할 수 있는 구조. 중국의 생산량 증가가 AI 데이터센터 투자로 발생한 메모리 공급 부족을 예상보다 빨리 완화하고 글로벌 D램 가격 상승세를 둔화시킬 가능성.

• **_요약 및 전망_**
  이번 주가 급락의 핵심은 당장의 실적 악화보다 중국의 기술 추격이 메모리 초호황을 조기에 끝낼 수 있다는 우려. 다만 CXMT의 연내 제품 출시 계획만으로 대량생산 능력이 검증된 것은 아니며 단기 공급 과잉 가능성은 제한적. 향후 4F² 양산 수율, 고객사 인증, 실제 공급량이 메모리 업황의 핵심 변수. 장기적으로는 중국의 구조적 생산능력 확대가 삼성전자·SK하이닉스의 가격 결정력에 부담으로 작용할 가능성.

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[https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/10/15/GRNF3J5OMJBXZIZYY4EULIRA6E/](https://www.chosun.com/economy/tech_it/2026/10/15/GRNF3J5OMJBXZIZYY4EULIRA6E/)