[SK증권 반도체 소부장 이동주]
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램리서치 (LRCX/US)
메모리로 재확장

 WFE 상향의 직접 수혜

- 식각 점유율 1위, 증착도 선두권
- 26년 WFE 전망 1,350억달러 → 1,400 → 1,500억달러로 두 차례 상향
- 공급 부족 장기화 언급

** 3D 역량, DRAM으로 확장

- Kiyo로 FinFET 입지, 신규 Akara로 GAA·3D 구조 우위 공고화
- DRAM 4F²(VCT)·3D DRAM 전환은 적층·선택식각·HAR·균일증착 등 램의 강점 공정
- 전방 어플리케이션 확장 기대

** 극저온 식각 우선권은 여전히 램

- V10(400단) 채널홀은 -40~-70℃ 극저온 식각 필요
- TEL 신규 진입으로 공급망 이원화 경쟁 불가피
- 램은 기존 Vantex 모듈 교체만으로 구현, 고객 투자 부담 최소화
- V10 투자 본격화되는 27년부터 실적 반영

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