** 골드만삭스: CXMT, 차세대 D램 개발에도 한국과 기술 격차 여전

- 골드만삭스의 10/16 리포트에 의하면, **CXMT는 차세대 D램 개발에도 불구하고 삼성전자 & SK하이닉스와의 제조 공정 및 제품 구성 격차가 여전히 존재**할 것으로 판단

**1) 왼쪽 그래프는 업체별 D램 CAPA 공정별 비중**
- 삼성·하이닉스는 1c 공정으로 전환하는 반면, **CXMT는 2027년에도 1z 공정 중심**일 것으로 전망

**2) 오른쪽 그래프는 모바일 D램 제품 세대별 구성**
- 삼성·하이닉스는 LPDDR5(X) 비중이 높은 반면, **CXMT는 구형 LPDDR4(X) 비중이 높은** 상황

- CXMT는 ASML산 EUV 노광장비 등 첨단장비 접근 제약으로 1z → 1c 공정 미세화에 한계가 있음
- 이에 **6F² → 4F² 전환을 통한 차세대 D램** 등으로 셀 구조를 바꿔 집적도를 높이려는 접근 중

- 6F² → 4F² 전환 시 같은 미세화 수준에서도 셀 면적을 약 33% 줄일 수 있으며, CXMT는 26년 말 해당 구조의 서버 D램 샘플을 목표로 추진 중
- 다만 삼성·하이닉스도 관련 기술을 개발 중이고, **CXMT 역시 고객 인증·양산 수율·제조원가 검증을 거쳐야** 함

→ 아직도 **삼성·하닉이 CXMT 대비 제조 공정 & 제품 구성에서도 앞서고**, **CXMT 차세대 D램도 차후 수율 & 양산을 확인해야 한다**는 분석

** [Goldman Sachs](https://x.com/OptionKing666/status/2111731541780877813?s=20)   [지엘리서치](http://t.me/valjuman)