** SK하이닉스 안현 "AI는 이제 시작"…HBM 넘어 3D 적층 D램·HBF 개발 강조


AI 인프라 고성장 전망에 메모리 선제 투자를 강조했다

· 안현 SK하이닉스 개발총괄 사장, 14일 SEDEX 2026 기조연설에서 “AI 수요는 이제 시작” 언급

· AI 인프라 시장 2030년까지 약 20배 성장, 올해부터 연평균 109% 성장 전망

· 메모리 개발·표준화·생산능력 확보는 AI 수요 형성 전 선제 준비 필요


**3D 스택 D램이 S램과 HBM 사이 새 메모리 계층으로 제시됐다

· GPU 등 프로세서 위에 D램을 직접 적층하고 TSV로 연결하는 구조
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**· HBM 대비 데이터 전송 대역폭 수십 배 확대, 전력 소모 절감 가능

· 발열 관리와 첨단 패키징 기술 확보가 상용화 핵심 과제
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커스텀 HBM과 HBF로 학습·추론 수요를 모두 겨냥한다

· 커스텀 HBM은 베이스다이에 고객 요구 기능 반영, 스탠다드 HBM과 병행하되 장기 비중 확대
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**· HBF는 낸드 기반에 TSV·로직 공정 적용, HBM과 SSD 사이 계층으로 대용량·고대역폭 동시 확보

· 대용량 데이터 반복 읽기가 중심인 AI 추론에 적합하다는 입장


** 지엘리서치 Comment

· 메모리 경쟁 축이 단일 제품(HBM)에서 S램·3D 스택 D램·HBM·HBF·SSD로 이어지는 계층 설계로 이동하고 있다. 앞서 공개된 FeNAND 연산형 메모리 연구와 같은 흐름으로, 메모리를 부품이 아닌 시스템 성능 결정 요소로 재정의하려는 전략이다.

· 커스텀 HBM 확대는 베이스다이를 로직 공정으로 제조하는 구조라 파운드리 협력 의존도가 높아지고, 3D 스택 D램과 HBF는 TSV·하이브리드 본딩 등 후공정 난이도를 끌어올린다. 실적 전이는 메모리 업체보다 후공정 장비·패키징 밸류체인에서 먼저 나타날 가능성이 크다.

[https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/10/14/I2ZLVN4RQ5D3RO437SXWTMDU3A/](https://biz.chosun.com/it-science/ict/2026/10/14/I2ZLVN4RQ5D3RO437SXWTMDU3A/)

** [지엘리서치](https://t.me/valjuman)