>>삼성전자·TSMC 이례적 협력…NVIDIA 맞춤형 HBM 생산 (대만공상시보 인용) •삼성전자는 NVIDIA의 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC의 3나노 공정

>>삼성전자·TSMC 이례적 협력…NVIDIA 맞춤형 HBM 생산 (대만공상시보 인용)

•삼성전자는 NVIDIA의 맞춤형 HBM인 NVHBM의 베이스 다이를 TSMC의 3나노 공정으로 생산할 예정임. 삼성전자가 HBM 제조 단계부터 TSMC와 협력하는 것은 이번이 처음

•NVHBM은 7세대 HBM4E 아키텍처를 기반으로 하며, 메모리 컨트롤러를 베이스 다이에 통합한 것이 특징. NVIDIA에 따르면 표준 HBM4E 대비 대역폭은 최대 30% 증가하고, HBM 전력 소비는 최대 15% 감소하며, 연산 칩에서 확보할 수 있는 면적은 최대 25% 늘어남

•NVIDIA는 삼성전자, SK hynix, Micron에 베이스 다이는 TSMC 3나노 공정, 코어 다이는 1c DRAM 공정을 적용하도록 요구했음. 제조 공정을 통일해 제품 성능의 일관성을 확보하고 업체별 검증 부담을 줄이려는 목적임.

•삼성전자는 NVHBM에 한해 TSMC 공정을 활용하되, 기존 HBM4·HBM4E와 다른 고객사용 맞춤형 HBM은 자체 파운드리를 활용하는 턴키 방식을 유지할 계획임. 또한 NVHBM 수요가 TSMC 생산능력을 초과할 가능성에 대비해 자체 파운드리에서 베이스 다이를 생산할 수 있는지도 검증중

>三星、台積電罕見聯手！輝達新款記憶體背後 藏著什麼盤算？ https://www.ctee.com.tw/news/20261025700008-430704