💾 마이크론 기술 웨비나 : HBM 뿐만 아니라, DRAM, NAND도 평면에서 수직으로 쌓는 구조로 변화할 것 - 맞춤형 베이스 다이를 ‘메모리 핵심 로직(Core memory

💾 마이크론 기술 웨비나 : HBM 뿐만 아니라, DRAM, NAND도 평면에서 수직으로 쌓는 구조로 변화할 것


- 맞춤형 베이스 다이를 ‘메모리 핵심 로직(Core memory logic) + 연산 로직(Compute logic)’으로 표현함. HBM 아래의 베이스 다이에 고객이 원하는 연산 기능을 더해 차별화 & HBM의 세대가 업그레이드 될수록 수익성이 높은 이유임.

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- vHBM은 메모리의 위치 자체를 바꾸는 구조

- 기존 HBM도 DRAM을 여러 층 쌓지만, 그 메모리 묶음은 GPU 등 연산 칩의 옆에 있음, vHBM은 메모리 묶음을 연산 칩 위에 배치합니다. 마이크론은 이를 통해 메모리와 연산 칩 사이의 경로를 가장 짧게 만들겠다는 방향을 제시

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