Китайська CXMT зіткнулася з серйозними труднощами під час освоєння масового виробництва пам'яті HBM3 для ШІ-прискорювачів. За даними видання Chosun, початковий вихід придатних восьмишарових чипів становить лише 25–30%. Ситуацію ускладнюють подальші випробування, які проходять приблизно 70% відібраних виробів, через що підсумкова частка робочих чипів знижується до скромних 18–21% — тобто близько 80% продукції іде в брак.
Основні складнощі пов'язані не з виготовленням самих кристалів DRAM, а з їхнім об'єднанням у багатошарову стек-структуру. Для з'єднання шарів вертикальними провідниками TSV (Through-Silicon Via) у кремнії формуються тисячі мікроскопічних отворів. Один чип CXMT містить близько 3000 таких з'єднань, і дефект на будь-якому етапі робить непридатним увесь стек.
Досі CXMT успішно зміцнювала позиції в сегменті звичайної DRAM, поки великі гравці зміщували фокус на HBM. Однак опанувати випуск багатошарової пам'яті для китайського виробника виявилося значно складніше.
💻 Підписатись
Китайська CXMT зіткнулася з серйозними труднощами під час освоєння масового виробництва пам'яті HBM3
Dream Machines Ukraine 💻
@DMUkraineОфіційний канал Dream Machines в Україні Кастомні ігрові ноутбуки та периферія: www.dreammachines.com.ua Пишемо про новини IT-індустрії, передові технології та інші цікаві речі Для підписників каналу діють спеціальні пропозиції, знижки та розіграші!
13 126 підписників
Відкрити в Telegram