TSMC가 DRAM을 어떻게 만들 수 있는지 의문이 있겠지만
The Information 기사에 보면 3D DRAM 담당자가 첨단패키징(AVP) 총괄 부사장이라고 합니다
셀 어레이를 새긴 웨이퍼 1개, 로직 기반의 주변회로(페리)를 새긴 웨이퍼 1개를 각각 만들어 웨이퍼 본딩으로 붙이겠다는 건데요. 이는 TSMC가 SoIC(시스템 온 집적회로)라는 AVP 기술로 이미 실현하고 있는 것입니다
TSMC 입장에서는 DRAM 셀 트랜지스터와 커패시터를 구현하는 제조 기술만 있으면 된다는 건데요. 여기에 수율 노하우까지 있어야 하지만, DRAM 공정보다 미세한 로직을 하고 있기에 단순 논리로 보면 수율 개선은 문제 없을 걸로 보입니다.
TSMC가 DRAM을 어떻게 만들 수 있는지 의문이 있겠지만 The Information 기사에 보면 3D DRAM 담당자가 첨단패키징(AVP) 총괄 부사장이라고 합니다 셀 어레이
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