TSMC가 DRAM을 어떻게 만들 수 있는지 의문이 있겠지만 The Information 기사에 보면 3D DRAM 담당자가 첨단패키징(AVP) 총괄 부사장이라고 합니다 셀 어레이

TSMC가 DRAM을 어떻게 만들 수 있는지 의문이 있겠지만

The Information 기사에 보면 3D DRAM 담당자가 첨단패키징(AVP) 총괄 부사장이라고 합니다

셀 어레이를 새긴 웨이퍼 1개, 로직 기반의 주변회로(페리)를 새긴 웨이퍼 1개를 각각 만들어 웨이퍼 본딩으로 붙이겠다는 건데요. 이는 TSMC가 SoIC(시스템 온 집적회로)라는 AVP 기술로 이미 실현하고 있는 것입니다

TSMC 입장에서는 DRAM 셀 트랜지스터와 커패시터를 구현하는 제조 기술만 있으면 된다는 건데요. 여기에 수율 노하우까지 있어야 하지만, DRAM 공정보다 미세한 로직을 하고 있기에 단순 논리로 보면 수율 개선은 문제 없을 걸로 보입니다.