📝 핵심적 본문 요약
NVIDIA는 메모리 컨트롤러와 커스텀 입출력 물리 계층을 베이스 다이에 내장하는 NVHBM 표준을 추진한다. 표준 HBM4E 대비 대역폭은 최대 30퍼센트 높고 전력은 15퍼센트 낮으며 가속기 내 메모리 인터페이스 면적은 25퍼센트 줄어든다. 이에 따라 SK하이닉스는 TSMC 3나노 공정 협력을 강화하고 삼성전자는 자체 파운드리와 TSMC를 병행하는 이원화 전략을 택하며 마이크론은 베이스 다이 생산을 외부에 맡기고 선단 D램에 자사 설비를 집중한다.
(#천상천하 #jkhan012)
✨(In)sight
가설은 HBM 경쟁의 축이 메모리 코어 수율에서 파운드리 공정 확보로 이동한다는 것이다. SK하이닉스는 3나노 선단 공정 우위로 프리미엄 마진을 지키는 반면 삼성전자는 내부 수율 한계를 인정하고 외부 협력을 늘려 점유율 탈환을 노린다. 관건은 NVHBM 커스텀 가치가 추가 비용을 상쇄하는지이며 마이크론의 자원 재배치가 이를 뒷받침한다. 다만 공정 확보 기대감이 실적 개선보다 앞서 반영될 위험이 상존한다.
#NVHBM #HBM4E #TSMC3나노 #SK하이닉스 #삼성전자
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