[SK증권 반도체 한동희, 손 건] SK하이닉스 3Q26 실적발표: Key Takeaways 3Q26 Datapoints (추정) (B/G) DRAM +10%, NAND -1% (

[SK증권 반도체 한동희, 손 건]

SK하이닉스 3Q26 실적발표: Key Takeaways

3Q26 Datapoints (추정)
(B/G) DRAM +10%, NAND -1%
(ASP) DRAM +28%, NAND +24%
(OPM) DRAM 83%, NAND 72%
 
4Q26 B/G Guidance (QoQ)
DRAM +20% 중반: 1c 확대, M15X 램프업
NAND +한자리수 중반%: 321단 eSSD 확대
 
27년 실현 가능 수요
DRAM +20% 중반, NAND 10% 후반

2029년까지 DRAM, HBM 사실상 Sold-out
2030년까지 수요 우위 전망
 
LTA
27, 28년 캐파의 50% 이상 확보
통상 5년 기본이나 연장 논의 진행
가격은 범위 내 시장 상황 반영구조
LTA는 메모리 비즈니스의 실적 가시성과 안정성을 제고
 
HBM
4Q26 HBM4 Crossover (출하량, 매출)
HBM4 수율 계획 상회
27년 협상 마무리. DRAM과 수익성 유의미한 축소
디스펙은 수요 강세, 공급 부족 때문
현재 고객 요청 물량은 공급 가능 물량의 2배 상회
 
주주환원
FCF 50% 이상 환원 원칙 유지. 키옥시아 투자 수익 등 특별배당으로 환원
26년 약 100조원 환원 (현금배당 30조원 이상, 매입/소각 60조원 이상)
분기별 자사주 매입, 소각 지속 추진 계획
현 주가는 이익 창출력을 충분히 반영하지 못하고 있음
 

QnA
Q1) AI 인프라 수익화 지연 우려에 대한 의견, 향후 AI 투자와 메모리 수요 지속성에 대한 판단 근거
A: 투자 속도 조절은 축소보다 집행 시점·수익성 점검 과정으로 판단. Hyperscaler Cloud 매출·Backlog 성장과 AI 유료 사용자 확대 확인

투자 주체도 Enterprise·Sovereign AI·On-premise로 다변화되며 Memory 수요 지속 전망

Q2) 현금배당과 자사주 매입·소각 비중 결정 기준
A: 배당은 직접 환원, 자사주 소각은 주당 가치 제고 수단. 배당 규모는 과거 배당수익률, 글로벌 주요 성장기업 배당수익률, 적정 보유현금 및 지속 가능성 등을 종합 고려해 결정. 자사주 매입은 매 분기 지속할 계획. 주가 수준, 밸류에이션, 현금흐름 등을 고려해 매입 규모 결정

Q3) LTA에 따른 중장기 실적 가시성과 추가 성장 여력
A: 확정 LTA는 FY27~28 CAPA의 50% 이상, 협의 중 수요까지 포함하면 FY29까지 DRAM·HBM 사실상 Sold-out. LTA로 실적 안정성을 확보하고 Non-LTA CAPA로 가격 상승·추가 성장 기회 대응

Q4) CAPA 확대에 따른 공급 과잉 리스크와 대응 전략
A: HBM·Advanced Node 확대에 따른 자원 소모 증가로 Fab 증설과 실제 공급 증가는 1:1 관계가 아님. Shell은 선제 확보하되 클린룸·장비 반입·양산은 고객 수요와 수익성에 맞춰 단계적으로 집행

Q5) HBM4 양산·수율 현황과 차세대 HBM 개발 방향
A: 4Q26 HBM4 출하량과 매출 비중 모두 HBM3E 추월 전망. 양산 정상 진행 및 높은 수율 확보. 전공정, 후공정 수율 모두 업계 최상위 수준. 차세대 HBM은 고객 일정에 맞춰 개발·평가 중이며, 주요 고객과 Custom HBM 공동개발 확대할 것

Q6) HBM 디스펙 배경과 출하량 및 수익성 영향
A: 적층 단수 하향은 HBM 수요가 공급을 크게 초과하는 상황의 대응책. 고객 요청 물량은 공급 가능 물량의 약 2배 수준. 생산계획에 이미 반영돼 기존 출하 일정 영향은 제한적이며, FY27 HBM4 Mix·가격·Yield 개선으로 수익성 확대 전망. 과거 메모리 사이클의 피크를 크게 상회하는 높은 수익성을 지속 가능할 것.

Q7) 4F² DRAM 개발 현황 및 차세대 셀 구조 전략
A: 기존 6F² 플랫폼 최대한 활용하면서 4F²·3D DRAM 병행 개발 중. 상용화는 수율, 신뢰성, 원가 경쟁력, 제품 설계 및 고객 평가 검증 뒤 단계적 전환

Q8) KV Cache 오프로드 확대에 따른 NAND 수요 변화 및 기술 개발 방향
A: Agentic AI·긴 Context 확산으로 KV Cache 용량 급증. 이에 따른 HBM·DRAM·SSD 간 계층형 구조 중요성 확대. SSD의 KV Cache Offload 활용이 늘어날 전망이며, Salt-KV·CMM-Hybrid·HBF를 통해 AI NAND 신규 수요 공략할 것

* SK증권 리서치 IT팀 채널 : https://t.me/skitteam