💾 노무라: CXMT 4F² D램, 기술 격차 여전하며 공급 급증은 아님 * 노무라 리포트 (2026/10/15 발간 추정) 1) CXMT는 차세대 D램 연말 목표, 본격 양산은

💾 노무라: CXMT 4F² D램, 기술 격차 여전하며 공급 급증은 아님

* 노무라 리포트 (2026/10/15 발간 추정)

1) CXMT는 차세대 D램 연말 목표, 본격 양산은 27~28년 예상
- 수직형 트랜지스터 & 웨이퍼 하이브리드 본딩을 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 26년 말까지 출시할 계획
- 올해 말 샘플·시험 제품 공급에 그치고, 대량 양산은 27~28년에 가능할 것으로 전망

2) 셀 밀도 상승가 공급량 급증을 의미하지는 않음
- 기존 6F² → 4F² 전환 시 셀 면적 약 33% 축소, 동일 면적당 셀 수는 이론적으로 약 50% 증가
- 다만 메모리 셀과 주변 회로를 별도 웨이퍼에 제작한 뒤 붙여야 하므로, 추가 웨이퍼·생산라인 필요

- 웨이퍼가 한 장 더 필요해, 같은 생산 자원으로 만들 수 있는 실효 생산능력은 약 30% 줄어든다 추산
- 두 웨이퍼가 모두 정상이어야 하므로, 최종적인 합산 수율은 약 80%로 추정

- 첨단 노광장비 확보 제약도 존재

3) 한국 업체와의 기술 격차는 여전히 존재
- 삼성전자·SK하이닉스는 여전히 약 3년의 기술 우위를 유지하고 있음
- 한국 업체들은 EUV 기반 미세화를 우선하며, 4F² 도입은 28년 전후로 예상

→ 중국의 D램 추격은 진행 중
→ 그러나 한국 반도체 투톱과의 기술 격차는 여전하며, 당장의 공급 급증으로 이어지기에는 양산·수율·장비 과제가 남아 있음

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