💾 NVHBM 확산으로 HBM 베이스다이가 파운드리 협업 영역으로 이동한다 · 마이크론 3분기 실적 컨콜에서도 언급된 NVHBM에 대해서 메모리 3사의 전략이 공개되고 있습니다.

💾 NVHBM 확산으로 HBM 베이스다이가 파운드리 협업 영역으로 이동한다


· 마이크론 3분기 실적 컨콜에서도 언급된 NVHBM에 대해서 메모리 3사의 전략이 공개되고 있습니다. 메모리 3사 모두 TSMC의 파운드리를 활용해 NVHBM에 맞는 베이스다이를 구성할 전망입니다. 삼성전자에게는 아쉽지만, 현재 기술력으로는 자체 파운드리에서 NVHBM을 진행하기에는 무리가 있어 보입니다.


✅NVHBM이 베이스다이의 역할을 키운다

· 엔비디아 NVHBM, 메모리 컨트롤러를 HBM 베이스다이로 이동시킨 구조
· HBM4E 대비 대역폭 최대 30% 향상, HBM 전력 15% 절감
· XPU 컴퓨트 다이 면적 최대 25% 추가 확보, I/O PHY 패키지 면적 최대 67% 축소
· 아마존 애나퍼나랩스, 차세대 AI 가속기 트레이니움4에 NVHBM 적용 예정


✅마이크론과 삼성전자가 외부 파운드리 활용으로 선회한다

📌 마이크론
· 마이크론, NVHBM과 JEDEC 표준 HBM4E 베이스다이를 외부 파운드리에서 생산할 계획
· 마이크론 HBM4는 1β 코어다이와 자체 베이스다이 조합, HBM4E는 1γ 코어다이로 전환하고 TSMC가 베이스다이 담당 전망
· 마이크론 COO, NVHBM이 HBM 대비 높은 ASP와 마진을 낼 것으로 언급

📌삼성전자
· 삼성전자, NVHBM 등 커스텀 HBM에 삼성 HBM 코어다이와 삼성 파운드리 또는 TSMC 베이스다이를 고객 요구에 따라 병행하는 듀얼트랙 추진
· TSMC 베이스다이는 삼성 메모리사업부가 설계와 최적화를 지원, 기존 시스템LSI·파운드리 의존 구조에서 이탈


✅SK하이닉스와 TSMC의 협력이 더 깊어진다

· SK하이닉스, HBM4 베이스다이에 TSMC 12nm 로직 공정 사용 중
· HBM4E와 향후 커스텀 HBM은 TSMC 3nm 우선 적용
· 엔비디아 GTC에서 Stream DQ 기술 기반 커스텀 HBM 콘셉트 공개, 엔비디아와 맞춤형 솔루션 협업 중

https://www.trendforce.com/news/2026/10/09/news-nvidias-nvhbm-reshapes-memory-makers-base-die-strategies-as-micron-samsung-turn-to-external-foundries/

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