CXMT 4F² 발표와 삼성전자·SK하이닉스 시사점 (GS)
1. 배경 및 주가 반응
• 10/10 CXMT가 신규 셀 구조 '4F²' 진전을 공개, 사장이 2026년 말까지 4F² 기반 서버 메모리 신제품 출시 계획 언급
• 이후 삼성전자·SK하이닉스·마이크론·샌디스크·키옥시아·CXMT 주가 11~26% 하락
• 다른 요인(신용·AI 자금조달 우려, 예상 상회 CPI)도 작용한 것으로 판단: CXMT 자체 주가도 하락, 관련성 낮은 NAND(키옥시아·샌디스크)도 급락
• DDR5 현물가는 같은 기간 계속 상승
2. 4F² 기술의 장단점
• 기존 6F²(3F×2F) 대비 셀 면적이 2F×2F로 축소 → 동일 면적에 더 많은 셀 집적, 비트 밀도 향상
• 누설전류 문제 해결을 위해 CXMT는 VSG(수직 서라운딩 게이트) 트랜지스터와 W2W 하이브리드 본딩 병행 계획
• EUV 접근 제한에 따른 미세화 한계를 셀 면적 축소로 우회하려는 성격
• 단점: 수직 트랜지스터 균일 제작, 캐패시터 용량 확보, 배선 간섭 제어, 본딩 정렬 등 난이도 상승 → 원가 증가·수율 하락 가능
3. 주요 업체별 4F² 진행 상황
• 삼성전자: 세계 최초 10나노 미만 4F²+VCT 동작 다이 제작 보도, 4F² 기반 10a D램 개발 2026년 말 완료 → 2027년 고객 인증 → 2028년 양산 목표
• 삼성전자: 10a·10b·10c에 4F²/VCT 적용 후 10d부터 3D D램 전환 계획
• SK하이닉스: 10나노 이하 차세대 로드맵에 4F² 수직 게이트 플랫폼 도입, 웨이퍼 본딩으로 제어회로를 셀 하부에 배치
4. CXMT 발표에 대한 GS의 평가
• 펀더멘털 영향 판단은 시기상조: 개발 단계, 원가 경쟁력, 수율, 고객 인증·상용화 일정 등 정보 부족
• CXMT는 현재 제품 설계 단계, 2026년 말 샘플링 목표 → 고객 인증과 양산은 전혀 다른 난이도
• 한국 업체는 EUV 등 대안 스케일링 수단 보유 → 4F² 조기 도입에 따른 수율 손실·원가 상승 회피 가능
• CXMT의 4F² 전환은 수출 규제 대응 성격이 강하다고 해석
5. 기술 격차 (노드 비교)
• 한국 업체: 1b 노드 중심, 1c로 믹스 전환 중
• CXMT: 현재 1z 노드 중심, 2027년까지 유지 전망
• EUV 없이 1b·1c 확대는 어려울 것으로 판단
• 삼성·하이닉스는 이미 수년 전부터 EUV 레이어 도입 (하이닉스 1a, 삼성은 1a 이전)
• 비EUV 경로로 스케일링 가능하더라도 기술적 한계와 원가 부담 존재
6. 생산능력 비교
• 2026년 말 예상: 삼성전자 770K, SK하이닉스 660K, CXMT 290K WPM
• 2028년 말 예상: 삼성전자 930K(+21%), SK하이닉스 770K(+17%), CXMT 513K(+77%)
• CXMT의 급격한 증설로 격차는 축소되나, 2028년에도 한국 업체가 상당한 격차로 우위 유지
7. HBM 추격 가능성
• HBM 경쟁력은 D램 기술뿐 아니라 패키징과 선단 베이스 다이 제조 능력에 좌우
• HBM3까지는 베이스 다이를 성숙 노드로 생산 가능했으나, 차세대는 선단 파운드리 노드 필요 (예: 삼성 HBM4 베이스 다이 4nm)
• 중국 파운드리의 선단 장비(EUV 등) 확보 제약으로 선단 베이스 다이 현지 조달이 병목 가능
• CXMT의 HBM 격차 축소는 D램보다 더 큰 허들
8. 중국 수요 관점
• CXMT가 2028년까지 중국 내 D램 수요의 50%, HBM 수요의 40%만 충족할 것으로 추정
• 중국 수요의 상당 부분은 계속 선도 업체에 의존
• 삼성전자·SK하이닉스 모두 중국 시장에서 유의미한 기회 지속
9. 주가 반영 수준 및 투자 시사점
• 시장은 CXMT의 증설 속도는 과소평가, 기술 돌파 가능성은 오히려 과대평가했다는 판단
• 2027E/2028E P/B: 삼성전자 1.2X/0.9X, SK하이닉스 1.4X/0.9X → 장부가 이하 거래는 2028년 다운사이클을 이미 반영한 수준
• GS의 "higher for longer" 뷰 대비 시장이 훨씬 비관적