📝 핵심적 본문 요약
CXMT가 4F² 셀 구조를 적용한 서버용 DDR5 RDIMM을 연내 출시하겠다고 밝혀 삼성보다 2년 앞선다는 보도가 나왔다. 그러나 CXMT의 첫 제품은 G5 공정에서 4F²를 부분 적용한 파생형일 가능성이 높고, 삼성의 4F²는 10a 공정용으로 세대 차이가 존재한다. CXMT는 EUV 없이 DUV 다중 패터닝과 수직 구조로 6F²에서 1b 근접 공정을 양산했으며, 상반기 매출 1,503억 위안과 매출총이익률 84.8%를 기록했다. 중국의 본선 경로는 2028년 G6와 2030년 3D D램 전환으로 추정된다.
(#여의도_밤안개 #bsj7000)
✨(In)sight
CXMT의 4F² 발표를 삼성 추월로 해석하는 시각은 적용 공정 세대와 범위를 혼동한 결과다. 가설은 중국의 위협이 구조 전환 속도에 있다는 것이며, 근거로 CXMT가 EUV 없이 DUV 4중 패터닝으로 1b 근접 공정을 양산하고 상반기 매출총이익률 84.8%를 확보한 점이 확인된다. 비즈니스 모델은 노광 한계를 공정 횟수와 소재, 비축 장비, 현금으로 메우는 우회 전략이며, 성장 동력은 슈퍼사이클 마진이다. 실적과 기대감이 뒤섞인 국면에서 2028년 G6와 2030년 3D D램 교차점이 실질적 분기점이 된다. 지금 유효한 투자 포인트는 4F² 헤드라인이 아니라 증착·식각·본딩 역량과 장기공급계약 확보 여부다.
#CXMT #D램 #4F2 #EUV #3DD램
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